Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SA1386A

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2SA1386A. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1386A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Gewicht: 6g. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100(TO3P). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3519A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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