2N5109

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	6.58€	7.83€
2 - 2	6.25€	7.44€
3 - 4	5.92€	7.04€
5 - 9	5.59€	6.65€
10 - 19	5.46€	6.50€
20 - 23	5.33€	6.34€

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Set mit 1

2N5109. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.2GHz. Maximaler hFE-Gewinn: 210. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 0.4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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