L6384ED. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -45...+125°C. Funktion: „Dualer Hochspannungs-Halbbrückentreiber“. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Hinweis: Ruhestrom 100uA. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +125°C.. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 750mW. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Spec info: verbesserte Version von L6384D. VCC: 0.3...14.6V. [V]: +16.6V/600V. Äquivalente: L6384ED013TR. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:35