Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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ZY150

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ZY150. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z150. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 150V. Zenerspannung: 150V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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