Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

1N5383B

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1N5383B. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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