Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.02€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.00€ |
100 - 249 | 1.22€ | 1.45€ |
250 - 491 | 1.25€ | 1.49€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.02€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.02€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.00€ |
100 - 249 | 1.22€ | 1.45€ |
250 - 491 | 1.25€ | 1.49€ |
2N2219A. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 25pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 10:25.
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