Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Zenerdioden

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BZX84C6V2

BZX84C6V2

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleist...
BZX84C6V2
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BZX84C6V2
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BZX84C6V8

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( ...
BZX84C6V8
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 6.8V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y61. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
BZX84C6V8
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 6.8V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y61. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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BZX84C7V5

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Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Hinwei...
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Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD
BZX84C7V5
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD
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BZX84C8V2

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Hinwei...
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Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD
BZX84C8V2
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD
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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruch...
BZX84C8V2LT1G
Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermateri...
BZX84C9V1
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: SI-Z SMD
BZX84C9V1
Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: SI-Z SMD
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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruch...
BZX84C9V1LT1G
Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BZX84J-B5V1-115

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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maxima...
BZX84J-B5V1-115
Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.55W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 1W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.55W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 1W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C10TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C10TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 24V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C33TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 24V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C39TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 30V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 50 Ohms @ 6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C39TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 30V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 50 Ohms @ 6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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BZX85C3V3TAP

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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C3V3TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 40uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 300mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C3V3TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 40uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 300mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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BZX85C3V9

Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. M...
BZX85C3V9
Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Gehäuse: PCB-Löten. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 60mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C3V9
Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Gehäuse: PCB-Löten. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 60mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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BZX85C4V3TAP

BZX85C4V3TAP

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C4V3TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 13 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C4V3TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 13 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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BZX85C4V7TAP

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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C4V7TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 13 Ohms @ 45mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C4V7TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 13 Ohms @ 45mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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BZX85C6V8TAP

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Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung...
BZX85C6V8TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3.5 Ohms @ 35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
BZX85C6V8TAP
Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3.5 Ohms @ 35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %
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D814D

D814D

Pd (Verlustleistung, max): 0.34mW. Gehäuse (laut Datenblatt): Metallgehäuse. Zenerspannung: 11.5.....
D814D
Pd (Verlustleistung, max): 0.34mW. Gehäuse (laut Datenblatt): Metallgehäuse. Zenerspannung: 11.5...14V. Funktion: Zenerdiode. Ausrichtung der Terminals: axial
D814D
Pd (Verlustleistung, max): 0.34mW. Gehäuse (laut Datenblatt): Metallgehäuse. Zenerspannung: 11.5...14V. Funktion: Zenerdiode. Ausrichtung der Terminals: axial
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DS9503P

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOC6. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.4..11.05V. Ro...
DS9503P
Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOC6. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.4..11.05V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100nA @ 7V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C
DS9503P
Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOC6. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.4..11.05V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100nA @ 7V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C
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EQA02-12AB

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KA33

KA33

Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Zenerspannung: 33V. Montage/Installation: Leiter...
KA33
Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Zenerspannung: 33V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
KA33
Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Zenerspannung: 33V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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MA4091-M

MA4091-M

Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Install...
MA4091-M
Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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MA4100

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Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Halbleitermaterial: Silizium. VRRM: 10V. Hinweis: -MAT. Hinweis: M...
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Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Halbleitermaterial: Silizium. VRRM: 10V. Hinweis: -MAT. Hinweis: MA4100M
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Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Halbleitermaterial: Silizium. VRRM: 10V. Hinweis: -MAT. Hinweis: MA4100M
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