Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 68V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 68V

Zenerspannung: 6.2V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 6.8V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 7.5V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 8.2V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 9.1V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 2. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Zenerspannung: 11V. Gehäuse: DO-35. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 12V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 13V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Zenerspannung: 15V. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 16V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 18V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Vorwärtsstrom (AV): 250mA. Äquivalente: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Zenerspannung: 20V. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 22V. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 24V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Glas-Silizium-Zenerdiode“. MRT (maximal): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 2.4V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 2.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 30 v. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Zenerspannung: 33V. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 36V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Zenerspannung: 39V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 3.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%