Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BZV85C27

BZV85C27

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C27
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: PHILIPS--BZV85-C27. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 27V
BZV85C27
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: PHILIPS--BZV85-C27. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 27V
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BZV85C2V7

BZV85C2V7

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C2V7
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 2.7V
BZV85C2V7
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 2.7V
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BZV85C30

BZV85C30

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C30
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 30 v
BZV85C30
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 30 v
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BZV85C33

BZV85C33

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C33
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 33V
BZV85C33
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 33V
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BZV85C36

BZV85C36

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C36
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N4753A. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 36V
BZV85C36
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N4753A. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 36V
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BZV85C39

BZV85C39

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C39
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 39V
BZV85C39
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 39V
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BZV85C3V0

BZV85C3V0

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C3V0
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Vorwärtsstrom (AV): 360mA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Zenerspannung: 3V
BZV85C3V0
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Vorwärtsstrom (AV): 360mA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Zenerspannung: 3V
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BZV85C3V3

BZV85C3V3

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C3V3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.3V
BZV85C3V3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.3V
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BZV85C3V6

BZV85C3V6

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C3V6
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.6V
BZV85C3V6
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.6V
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BZV85C3V9

BZV85C3V9

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C3V9
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.9V
BZV85C3V9
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.9V
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BZV85C43

BZV85C43

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C43
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 43V
BZV85C43
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 43V
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BZV85C47

BZV85C47

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C47
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 47V
BZV85C47
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 47V
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BZV85C4V3

BZV85C4V3

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C4V3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.3V
BZV85C4V3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.3V
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BZV85C4V7

BZV85C4V7

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C4V7
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.7V
BZV85C4V7
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.7V
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BZV85C51

BZV85C51

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C51
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 51V
BZV85C51
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 51V
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BZV85C56

BZV85C56

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C56
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 56V
BZV85C56
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 56V
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BZV85C5V1

BZV85C5V1

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C5V1
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Zenerspannung: 5.1V
BZV85C5V1
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Zenerspannung: 5.1V
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BZV85C5V6

BZV85C5V6

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C5V6
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 5.6V
BZV85C5V6
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 5.6V
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BZV85C62

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C62
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 62V
BZV85C62
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 62V
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BZV85C68

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C68
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x6.2mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 68V
BZV85C68
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x6.2mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 68V
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BZV85C6V2

BZV85C6V2

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C6V2
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 6.2V
BZV85C6V2
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 6.2V
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BZV85C6V8

BZV85C6V8

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
BZV85C6V8
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 6.8V
BZV85C6V8
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 6.8V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 75V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 75V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 7.5V
BZV85C7V5
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 7.5V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ...
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 82V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 82V
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