Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BZV85C27

BZV85C27

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C27
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: PHILIPS--BZV85-C27. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C27
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: PHILIPS--BZV85-C27. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C2V7

BZV85C2V7

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C2V7
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 2.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C2V7
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 2.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C33

BZV85C33

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C33
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 33V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C33
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 33V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C36

BZV85C36

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C36
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 36V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N4753A. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C36
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 36V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N4753A. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C39

BZV85C39

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C39
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 39V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C39
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 39V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C3V0

BZV85C3V0

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C3V0
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Vorwärtsstrom (AV): 360mA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C
BZV85C3V0
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Vorwärtsstrom (AV): 360mA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C
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BZV85C3V3

BZV85C3V3

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C3V3
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C3V3
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C3V6

BZV85C3V6

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C3V6
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C3V6
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C3V9

BZV85C3V9

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C3V9
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.9V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C3V9
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 3.9V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C43

BZV85C43

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C43
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 43V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C43
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 43V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C47

BZV85C47

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C47
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 47V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C47
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 47V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C4V3

BZV85C4V3

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C4V3
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 4.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C4V3
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 4.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C4V7

BZV85C4V7

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C4V7
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C4V7
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C51

BZV85C51

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C51
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 51V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C51
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 51V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C56

BZV85C56

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C56
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 56V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C56
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 56V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C5V1

BZV85C5V1

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C5V1
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 5.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C
BZV85C5V1
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 5.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C
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BZV85C5V6

BZV85C5V6

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Ze...
BZV85C5V6
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C5V6
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C62

BZV85C62

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Ze...
BZV85C62
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 62V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C62
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 62V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C68

BZV85C68

Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C68
Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 68V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x6.2mm. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C68
Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 68V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x6.2mm. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C6V2

BZV85C6V2

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
BZV85C6V2
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 6.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C6V2
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 6.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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BZV85C6V8

BZV85C6V8

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Ze...
BZV85C6V8
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
BZV85C6V8
Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 75V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 75V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Ze...
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 82V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 82V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: ...
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: NXP. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: NXP. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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