Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 19V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 27V

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 28V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 40mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 25.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 40mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 36V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 27.4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 11 Ohms @ 30mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 43V

Gehäuse: DO-201. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 47V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 51V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-201. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 42.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 68V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 51.7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 44 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 75V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 56V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 82V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 62.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 65 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Zenerspannung: 110V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 91.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 170 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 130V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Zenerspannung: 140V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen der Anschlüsse: 2. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: DO-201. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 150V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 160V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 180V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Zenerspannung: 200V. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. MRT (maximal): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VRRM: 200V

Zenerspannung: 8.2V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 11V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W