Zenerdioden

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 25V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 19V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 20.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-201

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. VRRM: 28V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 40mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 25.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 40mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 36V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 27.4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 11 Ohms @ 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. VRRM: 43V

Gehäuse: DO-201. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 47V

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 51V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 42.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-201

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 68V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 51.7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 44 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 75V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 56V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 82V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 62.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 65 Ohms @ 15mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 100V

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 110V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 120V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 91.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 170 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 130V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen der Anschlüsse: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 140V. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 160V. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 180V. Anzahl der Terminals: 2

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 200V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. MRT (maximal): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VRRM: 200V. Zenerspannung: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 8.2V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 11V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35