Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 14V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 11.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 75mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 16V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1700. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 17V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: DO-201. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 18V. RoHS: ja. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 65mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 19V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3 Ohms @ 65mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3 Ohms @ 65mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 22V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 24V. RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 19V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 27V

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 28V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 40mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 25.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 40mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 36V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 27.4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 11 Ohms @ 30mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 43V

Gehäuse: DO-201. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 47V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 51V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-201. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 42.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 68V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 51.7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 44 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 75V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 56V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 82V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 62.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 65 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Zenerspannung: 110V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%