Zenerdioden

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1.5 Ohms @ 240mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 220mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. VRRM: 6.2V. Zenerspannung: 6.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1N5342B. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Zenerspannung: 6.8V. Anzahl der Terminals: 2

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 5.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 175mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 7.5V. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 8.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.7V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 6.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 2

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 11V. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 12V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 13V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 14V. Anzahl der Terminals: 2

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 11.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 75mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1700. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Zenerspannung: 16V

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 17V

RoHS: ja. Gehäuse: DO-201. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 65mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 18V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 19V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3 Ohms @ 65mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3 Ohms @ 65mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 22V

RoHS: ja. Gehäuse: DO-201. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 24V