Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL3705N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 170W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3600pF

C(in): 5890pF. Kosten): 3130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1040A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: sehr niedrige Rds. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedriger Rds-on-Einschaltwiderstand. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Technologie: SMPS MOSFET. Spannung Vds(max): 30 v. Hinweis: UltraLow Gate

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3713S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5890pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 170W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 140A. Leistung: 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 30V

C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3803S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 7. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 67 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 222 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 19680pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 416W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Technologie: V-MOS TO220A. Spannung Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L520N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL530NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 79W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L530NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL540N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L540NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L5602S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 9A. Leistung: 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V

C(in): 1800pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 310 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 18A. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-220. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L640S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C