Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH40K. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1800pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorstrom: 41A. Ic(Impuls): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.43V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH40UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 46 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 82A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1220V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4PH50U. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.56V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(in): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 850pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 92 ns. Kollektorstrom: 31A. Ic(Impuls): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 3025pF. Kosten): 245pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2250pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+140°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.29V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.57V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L1004S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 6590pF. Kosten): 1710pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 160A. Leistung: 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.005 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Funktion: Schnell schaltender Gate-Antrieb auf Logikebene

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL1404ZPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5080pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 5080pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS: 20uA. IDSS (max): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 40V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL2203NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2203NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2203NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 104A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2505S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3700pF. Kosten): 630pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL3502. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3502S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS