Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V - IRL640A

N-Kanal-Transistor, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V - IRL640A
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N-Kanal-Transistor, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V - IRL640A. N-Kanal-Transistor, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 18A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 09:25.

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N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1800pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 310 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS
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