IRL3705N

IRL3705N. C(in): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.