Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFPE40

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IRFPE40. C(in): 1900pF. Kosten): 470pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: schnelle Umschaltung, ORION TV. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 09:25.

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C(in): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 3100pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 31A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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