IRF7303PBF

IRF7303PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7303. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 08:25.