IGBT-Module

IGBT-Modul. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 21.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 685 ns. Td(on): 605 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

IGBT-Modul. C(in): 1600pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Funktion: 3 CH. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Anzahl der Terminals: 17. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Gewicht: 170g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 400 ns. Td(on): 70 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS