IGBT-Module

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 21.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 685 ns. Td(on): 605 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G60T120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 480 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 375W. Maximaler Kollektorstrom (A): 150A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): NINCS

C(in): 1800pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 825pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kollektorstrom: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GB14C40L. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2.2V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: > 6KV ESD Gate Protection. Hinweis: integrierte Widerstände R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: ja

C(in): 3025pF. Kosten): 245pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 760pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Kollektorstrom: 480A. Ic(Impuls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 9830pF. Kosten): 570pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Kollektorstrom: 310A. Ic(Impuls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Funktion: 3 CH. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Anzahl der Terminals: 17. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Gewicht: 170g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 400 ns. Td(on): 70 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2870pF. Kosten): 295pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 8000pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW60V60DF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Gehäuse: TO-247. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS