N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRFB3207

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRFB3207. N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 09:25.