SGH30N60RUFD

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	5.43€	6.46€
2 - 2	5.16€	6.14€
3 - 4	4.89€	5.82€
5 - 9	4.62€	5.50€
10 - 19	4.51€	5.37€
20 - 29	4.40€	5.24€
30 - 44	4.24€	5.05€

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Set mit 1

SGH30N60RUFD. C(in): 1970pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60RUFD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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