BZW06-10B

BZW06-10B

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BZW06-10B. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung (Min): 11.4V. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Hinweis: 600W / 1mS. Information: -. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 10.2V. Serie: BZW06. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 36A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: bidirektional. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. VRRM: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-10B
23 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Durchbruchspannung (Min)
11.4V
Funktion
Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
10.2V
Hinweis
600W / 1mS
Komponentenfamilie
Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 10.2V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärts-Abstandsspannung
10.2V
Serie
BZW06
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
36A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
bidirektional
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
12.6V @ 1mA
VRRM
10V
Originalprodukt vom Hersteller
Semikron