Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC3856

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2SC3856. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3856. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1492. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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