NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V - TIP137

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V - TIP137. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 70pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 15000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP132. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.