Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C
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NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C. NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3G/4C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.

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NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4g. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -68...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V
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