BC857C

Menge (Set mit 10)	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.60€	0.71€
5 - 9	0.57€	0.68€
10 - 24	0.54€	0.64€
25 - 49	0.46€	0.55€
50 - 99	0.44€	0.52€
100 - 149	0.41€	0.49€
150 - 395	0.38€	0.45€

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1 - 4	0.60€	0.71€
5 - 9	0.57€	0.68€
10 - 24	0.54€	0.64€
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Set mit 10

BC857C. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.

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