NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, SOT23, -45V - BC857B

NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, SOT23, -45V - BC857B. NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, SOT23, -45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Gehäuse: SOT23. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: PNP. Leistung: 0.25W. Collector-Base-Spannung VCBO: -50V. Montageart: SMD. Bandbreite MHz: 100MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 220. Strom max 1: 100mA. Max.Voltage IGBT VRSM: 100 MHz. Information: 0.25W. Serie: BC. MSL: +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 24/07/2025, 03:25.