NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V - BC639-16

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V - BC639-16. NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.