Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC5966. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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