Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803. NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 06:25.

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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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