Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682
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NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682. NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Funktion: hFE 100...200. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 07:25.

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NPN-Transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 5.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1249
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