Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BC557C

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BC557C. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): 10pF. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC546C
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