Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. C(in): 10pF. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC546C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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