NPN-Transistor, 1A, 40V - 2SC2673
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NPN-Transistor, 1A, 40V - 2SC2673. NPN-Transistor, 1A, 40V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller --. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.
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NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. C(in): 50pF. Kosten): 7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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