Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BC635

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BC635. C(in): 50pF. Kosten): 7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640
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C(in): 50pF. Kosten): 7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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