Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.22€ | 1.45€ |
5 - 9 | 1.16€ | 1.38€ |
10 - 14 | 1.10€ | 1.31€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.22€ | 1.45€ |
5 - 9 | 1.16€ | 1.38€ |
10 - 14 | 1.10€ | 1.31€ |
2N5416. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.
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