NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3198. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ersatz KTA1267. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 9mm. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 17A, 230V. Kollektorstrom: 17A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1295

NPN-Transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1301

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1302. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1303

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1306

NPN-Transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Ic(Impuls): 8A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V. Menge pro Karton: 1. Funktion: NF/SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.7A, 180V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Transistortyp: NPN. Hinweis: hFE 140...280. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1319

NPN-Transistor, 5A, 500V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 250 MHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1360

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Funktion: hFE 15...30. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Funktion: hFE 20...40. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Kosten): 1.7pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 9mm Höhe. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Kosten): 2.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3503-D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1381. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS