NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.7pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Video, Hi-def. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 0.2A. Hinweis: 9mm Höhe. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.6pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3503-D. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1381. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3P-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 250pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1386A. Technologie: NPN-Epitaxial-Planartransistor. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Kollektorstrom: 700mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-43B, TO92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Maximaler hFE-Gewinn: 3200. Minimaler hFE-Gewinn: 800. Ic(Impuls): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.14V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 15V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 0.5A, 80V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Niederfrequenzantriebsanwendungen. Hinweis: hFE 140...280. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1480. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, TO-220FP, TO-220F. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Menge pro Karton: 1. Funktion: S-L. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/16V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 0.2A, 200V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1476. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 550V. C(in): 4pF. Kosten): 10pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V

NPN-Transistor, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126LP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Widerstand B: 22. BE-Widerstand: 22. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 260 MHz. Funktion: hFE 800. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.05A, 75V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-ZF-E. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): MF20 TO220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Treiber für Magnetspule und Motor. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3856. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1492. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN