NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V - 2SC3460

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V - 2SC3460. NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.