N-Kanal-Transistor STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1138pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Kosten): 122pF. Maximaler Drainstrom: 5.2A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Vgs(th) min.: 3.75V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58