N-Kanal-Transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1320pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 24.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P8NK80ZFP. Kosten): 143pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58