Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP
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N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP. N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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FQPF8N80C

FQPF8N80C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=...
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N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. G-S-Schutz: NINCS. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 59W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=...
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