Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP

N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP
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2 - 2 23.59€ 28.07€
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N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP. N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 6.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMesh. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 05:25.

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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

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STP8NK80ZFP
N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 24.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P8NK80ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
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