N-Kanal-Transistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.6 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10.4A. Kanaltyp: N. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24