N-Kanal-Transistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Kosten): 57pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24