N-Kanal-Transistor STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-Kanal-Transistor STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.91€
5-24
0.77€
25-49
0.68€
50-99
0.62€
100+
0.51€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 69

N-Kanal-Transistor STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 345pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 64A. Kanaltyp: N. Kosten): 72pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Low Gate Charge. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP16NF06L
29 Parameter
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
16A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.08 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
345pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
64A
Kanaltyp
N
Kosten)
72pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Spec info
Low Gate Charge
Td(off)
20 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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