N-Kanal-Transistor FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

N-Kanal-Transistor FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.82€
5-49
1.57€
50-99
1.32€
100+
1.17€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 160

N-Kanal-Transistor FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 480pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 62.8A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 175pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF20N06L
31 Parameter
ID (T=100°C)
11.1A
ID (T=25°C)
15.7A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.042 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
480pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
62.8A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
175pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
35 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
54 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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