N-Kanal-Transistor P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

N-Kanal-Transistor P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Menge
Stückpreis
1-4
1.34€
5-24
1.15€
25-49
0.97€
50-99
0.89€
100+
0.79€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 430

N-Kanal-Transistor P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 50A. Einschaltwiderstand Rds On: 15m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 150A. Kanaltyp: N. Kosten): 600pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
P50N03LD
26 Parameter
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
IDSS
25uA
IDSS (max)
50A
Einschaltwiderstand Rds On
15m Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( D-PAK )
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1200pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Logikpegel-Verbesserungsmodus
G-S-Schutz
nein
Id(imp)
150A
Kanaltyp
N
Kosten)
600pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Niko-semi

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