N-Kanal-Transistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 27uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1900pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PN03L06. Kosten): 760pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00