Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF9N60TH

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N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF9N60TH. N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1160pF. Kosten): 134pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 360ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MDF9N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.

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N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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