Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD

N-Kanal-Transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD
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N-Kanal-Transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD. N-Kanal-Transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Kollektorstrom: 42A. Ic(Impuls): 84A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 11:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G20N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typische Abfallzeit 140 ns bei 150 °C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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