N-Kanal-Transistor IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

N-Kanal-Transistor IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
2.53€
5-24
2.15€
25-49
1.88€
50-99
1.71€
100+
1.47€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 66

N-Kanal-Transistor IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9140. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kosten): 550pF. Leistung: 180W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP140
30 Parameter
ID (T=100°C)
22A
ID (T=25°C)
31A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.077 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) IRFP9140
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kosten)
550pF
Leistung
180W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Td(off)
53 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
180 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay

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