N-Kanal-Transistor IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

N-Kanal-Transistor IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
2.66€
5-24
2.24€
25-49
1.97€
50-99
1.76€
100+
1.47€
Menge auf Lager: 44

N-Kanal-Transistor IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2800pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 25uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFP150. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 1100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP150
29 Parameter
ID (T=100°C)
29A
ID (T=25°C)
41A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.55 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2800pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
25uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
IRFP150
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
1100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
230W
RoHS
ja
Technologie
HEXFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
220 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier